| 发明名称 | 红外发光元件用外延晶片和使用该晶片的发光元件 | ||
| 摘要 | 红外发光元件用外延晶片具备在n型GaAs衬底上边，用液相生长法依次叠层了第1n型Ga<SUB>1-x1</SUB>Al<SUB>x1</SUB>As层(0＜X1＜1)、第2n型Ga<SUB>1-x2</SUB>Al<SUB>x2</SUB>As层(0＜X2＜1)、n型Ga<SUB>1-x3</SUB>Al<SUB>x3</SUB>As包层(0＜X3＜1)、发光波长在850～900nm范围内的p型Ga<SUB>1-x4</SUB>Al<SUB>x4</SUB>As有源层(0＜X4＜1)、p型Ga<SUB>1-x5</SUB>Al<SUB>x5</SUB>As包层(0＜X5＜1)之后，除去上述n型GaAs衬底后形成的上述5层，其中p型Ga<SUB>1-x5</SUB>Al<SUB>x5</SUB>As包层的层厚在5～30微米的范围内，该p型Ga<SUB>l-x5</SUB>Al<SUB>x5</SUB>As包层中的氧浓度在3×10<SUP>16</SUP>原子/cm<SUP>3</SUP>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1159773C | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN00118399.0 | 申请日期 | 2000.06.16 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 吉永敦;山本淳一;山崎昭弘 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/30 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种红外发光元件用外延晶片，该晶片具备在n型GaAs衬底上边，用液相外延生长法依次叠层了第1n型Ga1-x1Alx1As层(0＜X1＜1)、第2n型Ga1-x2Alx2As层(0＜X2＜1)、n型Ga1-x3Alx3As包层(0＜X3＜1)、发光波长在850～900nm范围内的p型Ga1-x4Alx4As有源层(0＜X4＜1)、p型Ga1-x5Alx5As包层(0＜X5＜1)之后，除去上述n型GaAs衬底后形成的上述5层，其特征是：该p型Ga1-x4Alx4As有源层的主要杂质为锗，该n型Ga1-x3Alx3As包层中的锗浓度是3×1016原子/cm3以下，该p型Ga1-x5Alx5As包层的层厚在5～30微米的范围内，该p型Ga1-x5Alx5As包层中的氧浓度在3×1016原子/cm3以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||