| 发明名称 | 半导体集成电路器件和用于制造半导体集成电路器件的方法 | ||
| 摘要 | 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WN<SUB>x</SUB>膜24的形成，所述WN<SUB>x</SUB>膜24构成一个具有多金属结构的栅电极7A的阻挡层，从而在形成栅电极7A之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WN<SUB>x</SUB>膜24中的释放。 | ||
| 申请公布号 | CN1516900A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN01822929.8 | 申请日期 | 2001.10.31 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 山本直树;田边义和;小粥敬成;吉田武彦 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件，包括：(a)一个具有第一主表面的半导体集成电路芯片；(b)在所述第一主表面上方的一个将硅作为主要成分之一的硅基表面区；(c)一个在所述硅基表面区上方的栅绝缘膜；(d)在所述栅绝缘膜上方的一个将硅作为主要成分之一的硅基膜；(e)一个在所述硅基膜上方淀积的含有W2N的氮化钨膜，所述氮化钨膜具有1nm或更大的厚度，并且具有7％或更大的氮含量；以及(f)在所述氮化物膜上方的一个将钨或钼作为主要成分的耐熔金属膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||