| 发明名称 | 在半导体装置中形成金属线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种在半导体装置中形成金属线的方法。该方法包括下列步骤：在其中形成有下部布线的衬底上形成层间绝缘膜；图案化该层间绝缘膜，以形成用于形成上部布线的孔径单元，该上部布线连接至该下部布线；在给定温度下将其中形成有该孔径单元的该半导体衬底冷却；使用氢还原反应来实施清洁工艺，以便去除形成于该孔径单元侧壁上的聚合物及形成于该下部布线上的金属氧化物；在用于实施该清洁工艺的处理室内原位实施退火工艺；以及使用导电材料来掩埋该孔径单元以形成上部布线。 | ||
| 申请公布号 | CN1516264A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN200310124741.2 | 申请日期 | 2003.12.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金东俊 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置中形成金属线的方法，包括下列步骤：在其中形成有下部布线的半导体衬底上形成层间绝缘膜；图案化该层间绝缘膜，以形成用于形成连接至该下部布线的上部布线的孔径单元；在给定温度下将其中形成有该孔径单元的该半导体衬底冷却；使用氢还原反应来实施清洁工艺，以便去除形成于该孔径单元侧壁上的聚合物及形成于该下部布线上的金属氧化物膜；在用于实施该清洁工艺的处理室内原位实施退火工艺；以及使用导电材料来掩埋该孔径单元以形成上部布线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||