| 发明名称 | 改进的光发射二极管 | ||
| 摘要 | 一种半导体光发射二极管，其包括形成于基片(100)的同一侧的，密置分开的n和p型电极，以形成一具有小具体结构(footprint)的LED。一种半透明U形p型连接层(102)沿着其下的窗口层(101)的顶表面的3个边形成。p型电极(103)形成于p连接层上，且位于U形的闭合端的中心。一n型连接层(105)形成于覆层(203)上，且位于p型连接层(102)的U形开口端的中心。n型电极(106)形成于n型连接层(105)上。n型和p型电极间由位于电极间的凹槽(107)或绝缘体电绝缘实现电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN1516901A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN01821281.6 | 申请日期 | 2001.12.21 |
| 申请人 | AXT公司 | 发明人 | H·刘;X·程 |
| 分类号 | H01L27/15;H01L33/00;H01L29/12;H01L29/22;H01L29/20;H01L29/06 | 主分类号 | H01L27/15 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种半导体光发射二极管结构，包括：一基片；在所述基片的同一侧面上横向分开的第一和第二电极；和形成于所述二极管结构中，使所述电极相互隔离的装置。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||