干蚀刻方法

摘要

从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl₂的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。

主权项

1.一种干蚀刻方法，通过在该含有硅的导电膜层上形成的规定的图案形状的掩膜层，利用至少含有HBr气体的蚀刻气体，对在硅氧化膜层上形成的含硅的导电膜层进行蚀刻，其特征在于，包括：在不到13Pa的第一压力下进行等离子体蚀刻的主蚀刻工序；在所述主蚀刻工序后，以比所述主蚀刻工序高的13Pa之上，27Pa之下的第二压力进行等离子体蚀刻的过蚀刻工序。