Lothügelstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine Lothügelstruktur mit einer Kotaktstelle (402), einer optionalen darüberliegenden Zwischenschicht (406, 407) und einem Lothügel (405) auf der Zwischenschicht sowie auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird wenigstens ein Metallvorsprung (411) gebildet, der sich über der Kontaktstelle und/oder von einer Oberfläche der Zwischenschicht aus nach oben erstreckt und in Lotmaterial eingebettet ist. DOLLAR A Verwendung z. B. für Halbleiterchippackungen vom Flip-Chip- und WLP-Typ.