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Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das wenigstens ein erstes vertikales Leistungsbauelement sowie wenigstens ein laterales, aktives Bauelement und/oder zumindest ein zweites vertikales Leistungsbauelement aufweist, zwischen denen wenigstens ein mit einer Isolierung gefüllter Graben angeordnet ist, sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. DOLLAR A Das Halbleiterbauelement zeichnet sich im Wesentlichen durch eine ex- oder konzentrische Anordnung der jeweiligen Funktionselemente, die jeweils durch eine Trenchisolation voneinander getrennt sind, aus. Zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes wird in die Vorderseite eines Silizium-Substrates zumindest ein Graben geätzt, der wenigstens eine Teilfläche der Vorderseite vollumfänglich umschließt und der anschließend mit einer Isolation aufgefüllt wird. Im weiteren Verlauf des Verfahrens wird das Silizium-Substrat von der Rückseite her bis an die Isolierung, also bis an die Unterseite der Isolation, ganzflächig gedünnt. Die Kontaktierung der Leistungsbauelemente erfolgt von der Rückseite her.
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