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Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet eine erste Verdrahtung (3); einen Zwischenschichtisolierfilm (4), der die erste Verdrahtung (3) abdeckt; ein Kontaktloch (5), das in dem Zwischenschichtisolierfilm (4) vorgesehen ist und die erste Verdrahtung (3) erreicht; ein erstes Barrierenmetall (6) und einen Wolframstöpsel (8), der in dem Kontaktloch (5) vorgesehen ist; einen Oxidfilm (9), der auf einer Oberfläche des Wolframstöpsels (8) vorgesehen ist; und ein zweites Barrierenmetall (11) und eine zweite Verdrahtung (10), die auf dem Oxidfilm (9) vorgesehen sind.
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