Verbesserter Transistor mit abgesenktem Gate und ein Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Beim Herstellen eines Transistors mit abgesenktem Gate werden eine Kanalimplantation und eine Source/Drain-Implantation mittels einer einzelnen Implantationsmaske vor der Herstellung einer Gateöffnung ausgeführt. Danach wird die Gateöffnung bis zu einer Tiefe gebildet, die sich im Wesentlichen zu dem Kanalimplantationsgebiet erstreckt, so dass angehobene Drain- und Sourcegebiete geschaffen werden, die im Wesentlichen eben zu der in der Gateöffnung gebildeten Gateelektrode sind. Folglich können kostenintensive und komplexe epitaxiale Wachstumsschritte vermieden.