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Bei einem Verfahren zur Bildung eines Strukturelementes (41) in einer auf einem Wafer (30) angeordneten Schicht mittels eines Trim-Maskensatzes wird zwischen den mittels der Masken durchgeführten Belichtungsschritten ein Entwicklungs- und ein Ätzschritt zur Übertragung der Strukturmuster durchgeführt. Somit werden unterhalb eines Grenzwertes für die Strukturbildung anbelichteten Ränder um die mit einer ersten Maske (10) des Satzes belichteten Lackstrukturen (51) in einer ersten Lachschicht (50) maßgeblich in eine unterliegende Schicht (40) auf dem Wafer (30) übertragen. Erst danach erfolgt die das Muster der ersten Maske (10) nachbearbeitende Belichtung mit einer zweiten Maske (20) des Satzes, der Trim-Maske, in eine zweite, anschließend aufgebrachte zweite Lackschicht (60). Infolgedessen wird das bisher nachteilhafte zusätzliche Nachbelichten des von der ersten Maske (10) anbelichteten Randes durch die von der zweiten Maske (20) belichteten Lackstrukturen (61) mit einer Anhebung über den Grenzwert hinaus vermieden. Ein besonderer Vorteil entsteht dadurch, wenn die Strukturbildung durch die zweite Maske (20) mit derjenigen von Masken zur Bildung nachfolgender Strukturebenen auf dem Wafer (30) kombiniert wird.
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