发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | ||
摘要 | 一种薄膜晶体管阵列基板,包括:薄膜晶体管的栅极、与栅极相连的选通线,以及与选通线相连的栅焊盘;源/漏极图形,包含薄膜晶体管的源极和漏极、与源极相连的数据线、与数据线相连的数据焊盘、与数据线相交叠的存储电极;形成于基板较低部位的半导体图形;透明电极图形,包含与漏极和存储电极相连的像素电极、覆盖栅焊盘的栅焊盘保护电极以及覆盖数据焊盘的数据焊盘保护电极;以及在除形成有透明电极图形的区域之外的区域中层叠的保护图形和栅绝缘图形。 | ||
申请公布号 | CN1514468A | 申请公布日期 | 2004.07.21 |
申请号 | CN200310115757.7 | 申请日期 | 2003.11.28 |
申请人 | LG.飞利浦LCD有限公司 | 发明人 | 柳洵城;张允琼;赵兴烈 |
分类号 | H01L21/00;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:栅图形,包括:薄膜晶体管的栅极;与栅极相连的选通线;以及与选通线相连的栅焊盘;源/漏极图形,包括:薄膜晶体管的源极和漏极;与源极相连的数据线;与数据线相连的数据焊盘;与选通线交叠的存储电极;位于基板较低区域中的对应于源/漏极图形的半导体图形;透明电极,其包含与漏极和存储电极相连的像素电极、覆盖栅焊盘的栅焊盘保护电极以及覆盖数据焊盘的数据焊盘保护电极;以及保护图形和栅绝缘图形,其层叠在除形成有透明电极图形的区域之外的区域中。 | ||
地址 | 韩国汉城 |