| 发明名称 | 门氧化膜形成用硅化铪钯及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及由HfSi<SUB>1.02－2.00</SUB>构成的门氧化膜形成用硅化铪靶。得到了适合形成可代替SiO<SUB>2</SUB>膜作为高介电率门绝缘膜使用的HfSiO和HfSiON膜，加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯及其制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1515029A | 申请公布日期 | 2004.07.21 |
| 申请号 | CN02811705.0 | 申请日期 | 2002.06.05 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 入间田修一;铃木了 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉;丁业平 |
| 主权项 | 1.一种门氧化膜形成用硅化铪靶，其由HfSi1.02-2.00构成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||