| 发明名称 | 低噪声放大器 | ||
| 摘要 | 一种低噪声放大器，它包括：CMOS晶体管(M<SUB>1</SUB>)，所述CMOS晶体管具有栅极、源极和漏极，栅极端子通过第一阻抗匹配网络(L<SUB>g</SUB>)连接到放大器的输入端，源极端子通过第二阻抗匹配网络(L<SUB>s</SUB>)连接到信号接地线；以及连接在晶体管(M<SUB>1</SUB>)的栅极端子和源极端子之间的容性阻抗(C<SUB>d</SUB>)。 | ||
| 申请公布号 | CN1515070A | 申请公布日期 | 2004.07.21 |
| 申请号 | CN02811481.7 | 申请日期 | 2002.04.08 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | P·安德雷尼;H·斯杰兰德 |
| 分类号 | H03F3/19;H03F3/193 | 主分类号 | H03F3/19 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种低噪声放大器，它包括：CMOS晶体管，所述CMOS晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子，所述栅极端子通过第一阻抗匹配网络连接到所述放大器的输入端，而所述源极端子通过第二阻抗匹配网络连接到信号接地线；以及，容性阻抗，它连接在所述晶体管的所述栅极端子和所述源极端子之间。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||