低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法

摘要

本发明为低电阻温度系统锰铜薄膜的制备方法。采用磁控溅射或射频溅射法沉积锰铜薄膜，通过对基板温度、锰铜靶的温度，以及热处理温度的控制，可使制备的锰铜薄膜的电阻温度系统达到±10×10^-6/℃，达到了与块状材料相当的水平。

主权项

1、一种低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法，系用溅射法沉积锰铜薄膜，其特征在于所说的溅射法为磁控溅射或射频溅射法，靶材采用锰铜合金材料，合金组分如下(重量份)：铜84-87％，锰11-13％、镍2-3％，溅射工艺中锰铜靶的温度≤80℃，绝缘基板的加热温度为150-250℃，本底真空小于3×10-3Pa，采用纯氩气作为工艺气体，氩气压力为0.1-5Pa。