| 发明名称 | 使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程，其制程步骤包括：提供一基底；依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于上述基底上，其中上述第二蚀刻停止层是为一无氮介电材料的停止层，而此第一蚀刻停止层是为碳化硅(SiC)层；形成一介电层于该第二蚀刻停止层上；依序定义上述介电层、第二蚀刻停止层以及第一蚀刻停止层以构成至少一开口于上述基底上，并露出开口内的基底；以及形成一导电层于上述开口内。 | ||
| 申请公布号 | CN1514477A | 申请公布日期 | 2004.07.21 |
| 申请号 | CN03153190.3 | 申请日期 | 2003.08.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林思宏;张文;章勋明;梁孟松 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/314 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体制程，包括下列步骤：提供一半导体基底；依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于该半导体基底上，其中该第二蚀刻停止层是为一无氮介电材料(N-free dielectric)的蚀刻停止层，而该第一蚀刻停止层是为碳化硅(SiC)层；形成一介电层于该第二蚀刻停止层上；依序定义该介电层、该第二蚀刻停止层以及该第一蚀刻停止层以构成复数个开口于该基底上，并露出该开口内的半导体基底；形成一导电层于该开口内。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||