发明名称 用非相干辐射治疗组织中病理状态的方法与设备
摘要 本发明涉及用非相干辐射治疗组织病状的方法,其中周期性红外照射是以50-300mW/cm<SUP>2</SUP>的照射能量密度考虑在组织愈合中止痛的时间每1或2天进行1-20分钟。照射是在位于负责由组织中代谢、酶和再生过程失调引发的疾病过程的器官之上的皮肤区进行。照射波长为1-56μm,线性偏振化且时间调制,这根据疾病类型来选择。本发明设备从控制系统(2)的附加电源接受电子控制信号并通过光发射器(3)调节发射光的相应特性。辐射源预先根据辐射流的密度校准。光发射器(3)可由宽带半导体硅发光二极管构成,其具有1-56μm的非相干红外辐射波长和超薄p-n结。电源(1)沿着p-n或n-p结的平面(a)连结并保证在掺杂的p-n或n-p结中产生电流。控制系统(2)包括连结附加电场源的导线(c,d,e),所述导线与发光二极管相连使电场沿着p-n结的平面(a)作用并在p-n结上产生反向或直接的迁移。
申请公布号 CN1158113C 申请公布日期 2004.07.21
申请号 CN96180250.2 申请日期 1996.04.11
申请人 尼古拉·泰穆拉佐维奇·巴格拉夫;列昂尼德·叶菲莫维奇·克利亚什金 发明人 尼古拉·泰穆拉佐维奇·巴格拉夫;列昂尼德·叶菲莫维奇·克利亚什金
分类号 A61N5/06;H01L33/00 主分类号 A61N5/06
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈文平
主权项 1.一种实施用非相干辐射治疗病理组织之方法的设备,其包括电源(1)、包括控制系统(2)和辐射器(3)的辐射源,辐射器经预校准提供所需的辐射能密度,其特征在于用基于超薄“p-n”结的具有1-56微米非相干红外辐射波长的宽带半导体硅发光二极管(LED)作为辐射器(3),电源(1)沿着“p+n”或“n+p”结的平面(a)连结,以在掺杂的“p+n”或“n+p”区内产生电流,控制系统(2)装有连结附加电场源的导线(c,d,e),它们与LED连结使得沿着“p+n”结的平面(a)施加电场,在“p+n”结上产生反向直接偏移,所述控制系统(2)控制发射光波长的波谱范围、其线性偏振化程度和时间调制频率。
地址 俄罗斯联邦圣彼得斯堡