坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法

摘要

一种坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法，其特征在于它是采用电阻加热温梯炉生长的，包括如下步骤：<1>在坩埚的籽晶槽内放入定向籽晶；<2>选定并按Li₂CO₃和Nb₂O₅的比例配料，混合均匀，用压料机压块成形后，直接装入坩埚中，加上坩埚盖，置于电阻炉中；<3>加热升温，熔体温度达1160～1200℃，熔融LN多晶料，使其成为饱和溶液，恒温2～6小时；<4>以0.1－1毫米/小时的速率下降坩埚、生长晶体，待晶体结晶完毕，缓慢降温至室温。选用碳酸锂和氧化铌为原料，其中碳酸锂的克分子比为(54～63)％。本发明的克服了在先技术的设备复杂、质量不稳定、尺寸小和成本高等缺点，适宜批量生产，可满足光电子技术迅猛发展的市场需求。

主权项

1、一种坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法，其特征在于它是采用电阻加热温梯炉生长的，包括如下步骤：<1>在坩埚(1)的籽晶槽(9)内放入定向籽晶；<2>选定并按Li2CO3和Nb2O5的比例配料，混合均匀，用压料机压块成形后，直接装入坩埚(1)中，加上坩埚盖(10)，置于电阻炉中；<3>加热升温，熔体温度达1160～1200℃，熔融LN多晶料，使其成为饱和溶液，恒温2～6小时；<4>以0.1-1毫米/小时的速率下降坩埚、生长晶体，待晶体结晶完毕，缓慢降温至室温。