发明名称 |
偏压溅射薄膜成形方法及偏压溅射薄膜成形设备 |
摘要 |
本发明提供一种可以在接触孔、通孔和布线槽之类复杂形状的细小涂层表面中,特别是对于其侧壁部分形成具有良好厚度分布的覆膜的偏压溅射薄膜成形方法及薄膜成形设备。在含有溅射气体入口3和真空排气口2的真空室1中,用于基片台5的可变输出电源9与控制系统10连接至提供有分别固定彼此相对的靶材6和基片7的溅射阴极4和基片台5的偏压溅射薄膜成形设备。当阴极电压被首先设定为预定电压和基片与靶材被分开预定距离时的基片偏压值;和对应于此基片偏压值的各表面上薄膜的厚度分布被作为参考数据储存在控制系统10中。从参考数据中选择在各表面薄膜成形中使薄膜厚度实质上均匀的基片偏压值,以构成使用其作为变量的偏压函数,并通过此函数控制电源的输出。 |
申请公布号 |
CN1514471A |
申请公布日期 |
2004.07.21 |
申请号 |
CN03158146.3 |
申请日期 |
2003.09.12 |
申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
李命久;冈村吉宏;富泽和之;丰田聪;五户成史 |
分类号 |
H01L21/203;H01L21/285;C23C14/06;C23C14/34 |
主分类号 |
H01L21/203 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种偏压溅射薄膜成形方法,用来通过应用阴极电压与基片偏压的双电压形成薄膜,其中在其上仅应用所述双电压中的阴极电压的状态下形成不规则部分的基片上形成薄膜,并在改变所述基片偏压的同时执行溅射薄膜成形,以使形成在所述不规则部分侧壁与底部表面上的所述薄膜厚度实质上均匀。 |
地址 |
日本神奈川 |