| 发明名称 | 磁阻性存储器胞元的写入方法及可由此方法写入的磁阻性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁阻性存储器胞元的写入方法及可由此方法写入的磁阻性存储器。在一种写入一MRAM存储器的磁阻性存储器胞元的方法中，写入电流(I<SUB>WL</SUB>、I<SUB>BL</SUB>)在每一个例子中施加一字线(WL)及一位线(BL)，该写入电流所产生之磁场(Hx(I<SUB>BL</SUB>)、Hy(I<SUB>WL</SUB>))的叠加，而此在相对应之字线及位线所选择的每一个存储器胞元中，会导致其磁化方向的改变。在此方法中，该写入电流(I<SUB>WL</SUB>、I<SUB>BL</SUB>)以暂时性地彼此补偿的方式分别施加该字线(WL)及该位线(BL)，因此，在该所选择的存储器胞元(MTJ)中，该磁化方向会在多个连续步骤中被旋转成写入一逻辑“0”或“1”所需的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN1515010A | 申请公布日期 | 2004.07.21 |
| 申请号 | CN02805110.6 | 申请日期 | 2002.01.24 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·弗雷塔格;S·米撒纳;W·拉伯格 |
| 分类号 | G11C11/16;G11C11/15 | 主分类号 | G11C11/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种写入一MRAM存储器的磁阻性存储器胞元的方法，其中写入电流(IWL、IBL)在每一个例子中施加一字线(WL)及一位线(BL)的方式系为将该写入电流所产生的磁场(Hx(IBL)、Hy(IWL))的叠加，而此在每一个对应的字线及位线(WL、BL)所选择的存储器胞元中，会导致该磁化方向改变，其特征在于：该写入电流(IWL、IBL)分别施加该字线(WL)及该位线(BL)的方式为暂时性地彼此补偿，因此，该所选择的存储器胞元(MTJ)的该磁化方向将会在多个连续步骤中被旋转成写入`一逻辑“0”或“1”所需的方向。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||