| 发明名称 | 将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法，利用温度梯度变化所产生的能量，将高阻值P型掺杂的薄膜活化成低阻值P型掺杂的薄膜。高阻值P型薄膜为P型掺杂的III族金属氮化物薄膜、或是P型掺杂的II-VI族化合物薄膜。本发明在温度梯度变化过程中，进行持温操作的时间小于1分钟。利用快速升降温的方式达成P型掺杂活化，将热处理的时间缩短，进而减少长时间热处理所衍生的扩散问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1158697C | 申请公布日期 | 2004.07.21 |
| 申请号 | CN01109032.4 | 申请日期 | 2001.02.27 |
| 申请人 | 连威磊晶科技股份有限公司 | 发明人 | 李世昌;陈聪育;曾坚信;詹世雄 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/22 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法，其特征在于：它包括如下的步骤：提供第一P型掺杂的III族金属氮化物或II-VI族化合物半导体薄膜；以50℃/sec的升温速率，加热上述第一P型掺杂的III族金属氮化物或II-VI族化合物半导体薄膜，使温度由室温快速上升到400-1000℃，并在小于1分钟内，保持上述温度；以12℃/sec降温速率，使温度由上述温度快速降低到400℃以下，上述第一P型掺杂III族金属氮化物或II-VI族化合物半导体薄膜被活化成第二P型掺杂的III族金属氮化物或II-VI族化合物半导体薄膜；进行持续降温操作，使温度降回到室温；其中，在温度变化的过程中，温度大于400℃的时间不小于1分钟，小于10分钟；上述第二P型掺杂的III族金属氮化物或II-VI族化合物半导体薄膜的阻值低于上述第一P型掺杂的III族金属氮化物或II-VI族化合物半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||