双极集成电路中硅材料质量的检测方法

摘要

本发明涉及一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特点是包括以下步骤：步骤一，建立具有N埋层的NPN管结构，用以测试工艺证实模型PVM中NPN管的发射极到集电极的击穿电压BV ceo，以判断集成电路中NPN管质量；步骤二，建立具有N型埋层的二极管结构，即有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量N型外延的质量；步骤三，建立没有N型埋层的二极管结构，即没有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量没有N型埋层的NPN管的基极到集电极的击穿电压，以便进一步判断该击穿电压的质量是否和硅材料质量相关；经过步骤二和步骤三的检测，通过排除集成电路制造的质量问题，即排除N型外延和基区的问题，从而找到因原单晶片质量问题即一次缺陷引起漏电超规范。

主权项

1.一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，建立具有N埋层的NPN管结构，用以测试工艺证实模型中NPN管的发射极到集电极的击穿电压，以判断集成电路中NPN管质量；步骤二，建立具有N型埋层的二极管结构，即有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量N型外延的质量；步骤三，建立没有N型埋层的二极管结构，即没有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量没有N型埋层的NPN管的基极到集电极的击穿电压，以便进一步判断该击穿电压的质量是否和硅材料质量相关；经过步骤二和步骤三的检测，通过排除集成电路制造的质量问题，即排除N型外延和基区的问题，从而找到因原单晶片质量问题即一次缺陷引起漏电超规范。