局部捕捉式非挥发性记忆体之资料保留

摘要

本发明系有利地提供一种用于最佳地将资料保留在捕捉式非挥发性记忆体单元的装置及方法。本发明之一较佳实施例系提供一捕捉式非挥发性记忆体单元，其包括有一半导体基材(其更包括一源极、一与源极相隔的汲极及一形成于源极与汲极之间的通道区域)、一第一绝缘层于通道区域上、一不传导电荷的捕捉层于第一绝缘层上并且使用电荷注入将电子电荷捕捉至其中、一第二绝缘层于捕捉层上，以及一闸极于第二绝缘层上。在电荷被捕捉至捕捉层之后，一些被捕捉的电荷系使用电场增强电子释放技术来被释放。在捕捉层内的电荷系被重复地捕捉及释放浅陷阱，直到捕捉层内储存一意欲数量的深陷阱为止。