发明名称 CIRCUIT DE DETECTION DE TEMPERATURE
摘要 <P>Un circuit de détection de température comprend un amplificateur opérationnel (115), un générateur de courant de référence (120), un générateur de tension de détection de température (130) et un comparateur (140). L'amplificateur opérationnel (115) reçoit une tension de référence à bande interdite et une première tension, et attaque le générateur de courant de référence (120) qui génère la première tension et une tension de référence (VREF). Le générateur de tension de détection de température (130) génère une tension de détection de température (VTD) en réponse à une température ambiante et au signal de sortie de l'amplificateur opérationnel. Le comparateur compare la tension de référence avec la tension de détection de température et génère un signal de commande (THDET). Le circuit est capable de détecter une température élevée ou basse de manière stable en présence de variations de tension d'alimentation et de température.</P>
申请公布号 FR2849921(A1) 申请公布日期 2004.07.16
申请号 FR20040000121 申请日期 2004.01.08
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 KIM CHAN YONG
分类号 G01K3/00;G01K7/01;(IPC1-7):G01K7/01 主分类号 G01K3/00
代理机构 代理人
主权项
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