发明名称 CROISSANCE DIAMANT A GRANDE VITESSE PAR PLASMA MICRO-ONDE EN REGIME PULSE.
摘要 Procédé de fabrication d'un film de diamant de qualité électronique à grande vitesse par plasma micro-onde pulsé dans lequel, dans une enceinte à vide, on forme un plasma de volume fini, au voisinage d'un substrat en soumettant un gaz comprenant au moins de l'hydrogène et du carbone à une décharge pulsée, qui présente une succession d'états de basse puissance et d'états de haute puissance et présentant une puissance crête absorbée Pc, afin d'obtenir dans le plasma au moins des radicaux contenant du carbone et de faire déposer sur le substrat lesdits radicaux contenant du carbone pour y former un film de diamant. On injecte dans le volume du plasma une densité de puissance crête au moins égale à 100 W/cm3 tout en portant le substrat à une température de substrat comprise entre 700 °C et 1000 °C.
申请公布号 FR2849867(A1) 申请公布日期 2004.07.16
申请号 FR20030000254 申请日期 2003.01.10
申请人 CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS;UNIVERSITE PARIS NORD (LABORATOIRE DE CHIMIE STRUCTURALE ET SPECTROSCOPIE BIOMOLECULAIRE) 发明人 GICQUEL ALIX;SILVA FRANCOIS;FUTEN XAVIER;HASSOUNI KHALED;ROUSSEAU ANTOINE
分类号 C23C16/27;C30B25/10;(IPC1-7):C23C16/517;C23C16/515;C23C16/511;C23C16/52 主分类号 C23C16/27
代理机构 代理人
主权项
地址