Verfahren zur Stressentlastung während Halbleiterbauelementherstellung

摘要

Die vorliegende Erfindung liefert ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Lösen eines während der Herstellung des Halbleiterbauteils ausgelösten Stresses. Das Verfahren zum Lösen des Stresses schließt die Schritte ein: Bilden einer Stapelschicht, abgeschieden auf einem Halbleiter, seuqenziell mit einer Gate-Oxid-Schicht, einer Polysilizium-Schicht, einer Wolfram-Schicht und einer harten Maske; Ausführen eines selektiven Oxidationsprozesses, wobei nur die Polysilizium-Schicht der Stapelschicht oxidiert wird; Ausführen eines Hitzebehandlungsprozesses zum Lösen eines während des selektiven Oxidationsprozesses ausgelösten Stresses und Ausführen eines Prozesses zum Bilden einer Gate-Versiegelungs-Nitrid-Schicht auf der hitzebehandelten Stapelschicht.