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Eine Struktur wird bereitgestellt, die einen geringen Widerstand im geöffneten Zustand und eine bessere Sperrwirkung gewährleistet. Bei einem Lateral-SIT (Lateral Type Static Induction Transistor), bei dem eine erste Zone als p·+·-Gate verwendet wird und eine Gateelektrode auf der Unterseite der ersten Zone ausgebildet ist, ist die Struktur derart gebildet, dass das p·+·-Gate und eine n·+·-Source aneinander angrenzen. Eine Isolierschicht ist auf der Oberfläche eines n·-·-Kabels ausgebildet und eine Hilfsgateelektrode ist auf der Isolierschicht gebildet. Zusätzlich sind die Hilfsgateelektrode und die Sourceelektrode kurzgeschlossen.
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