发明名称 Phasenwechsel-Speicher und Herstellungsverfahren
摘要 Phasenwechsel-Speicher-Bauelementestrukturen und Verfahren zu deren Herstellung werden angegeben. Der Phasenwechsel-Speicher enthält eine Struktur mit einer Elektrode, einem Haftmaterial und einem isolierenden Material zwischen der Elektrode und dem Haftmaterial, wobei ein Teil des Haftmaterials, ein Teil des isolierenden Materials und ein Teil der Elektrode ein im wesentlichen planare Oberfläche bilden. Auf der im wesentlichen planaren Oberfläche ist eine Schicht eines Phasenwechselmaterials aufgebracht, die mit der Elektrode, dem Haftmaterial und dem isolierenden Material in Kontakt tritt.
申请公布号 DE10339061(A1) 申请公布日期 2004.07.15
申请号 DE2003139061 申请日期 2003.08.26
申请人 INTEL CORPORATION, SANTA CLARA 发明人 DENNISON, CHARLES
分类号 H01L27/115;H01L45/00;(IPC1-7):H01L27/10;G11C13/02 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
地址