Verfahren zur Herstellung einer sublithographischen Gatestruktur für Feldeffekttransistoren, eines zugehörigen Feldeffekttransistors, eines zugehörigen Inverters sowie zugehörige Inverterstruktur

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer sublithographischen Gatestruktur, eines zugehörigen Feldeffekttransistors und eines zugehörigen Inverters sowie einer zughörigen Inverterstruktur, wobei an den Seitenwänden einer lithographischen strukturierten Maske (M0, 2) durch konformales Ausbilden einer Gate-Isolationsschicht (3) und einer Gateschicht mit nachfolgend durchgeführtem anisotropem Ätzen eine sublithographische Gatestruktur (SG) mit geringen Schwankungen der kritischen Abmessungen unmittelbar hergestellt werden kann.