Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung,申请号DE1996629325T-传众专利搜索

发明名称	Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要
申请公布号	DE69629325(T2)	申请公布日期	2004.07.15
申请号	DE1996629325T	申请日期	1996.02.07
申请人	NGK INSULATORS, LTD.	发明人	TERASAWA, YOSHIO
分类号	H01L21/18;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/332;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/744;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/18	主分类号	H01L21/18
代理机构		代理人
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