发明名称 半导体器件的制造方法和半导体器件
摘要 提供可以使电力元件用多引脚封装的内部连接简化的构成和制造方法。通过连接剂把具有主电极和比该主电极面积小的副电极的半导体芯片装载到引线框架的管芯垫上,通过连接剂把用连杆把各自的内部引线连接起来的内部引线框架,装载到半导体芯片的主电极和副电极及引线框架的对应的外部引线之间,导电性地同时把内部引线和半导体芯片和外部引线之间固定粘接起来,然后切断连杆,把内部引线框架分离成各个内部引线。
申请公布号 CN1157774C 申请公布日期 2004.07.14
申请号 CN01132997.1 申请日期 2001.09.13
申请人 株式会社东芝 发明人 内田正太郎
分类号 H01L21/60;H01L21/58;H01L23/48 主分类号 H01L21/60
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体器件的制造方法,其特征是包括下述工序:把在上表面上具有主电极和比该主电极面积小的副电极的半导体芯片,通过第一连接剂装载到外部引线框架的管芯垫上的工序;把用连杆连接着把上述半导体芯片的主电极和副电极连接到上述外部引线框架的对应的连接用焊盘上的各内部引线的内部引线框架,通过第二连接剂装载到上述半导体芯片和上述外部引线框架上的工序;加热上述第一连接剂和第二连接剂,在上述半导体芯片与上述管芯垫之间、上述内部引线与上述半导体芯片的电极和上述外部引线框架的连接焊盘之间,同时导电性地进行粘接固定的工序;和切断上述连杆,把上述内部引线框架分离成各内部引线的工序。
地址 日本东京都