发明名称 Pseudomorphic hemt structure compound semiconductor substrate and process for forming a recess therein
摘要
申请公布号 GB0413277(D0) 申请公布日期 2004.07.14
申请号 GB20040013277 申请日期 2004.06.15
申请人 FILTRONIC PLC 发明人
分类号 H01L21/335;H01L21/338;H01L29/20;H01L29/778 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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