半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于，通过在SOI结构的半导体装置中抑制经局部STI结构的隔离绝缘膜邻接的晶体管之间发生的漏电流，来得到提高了隔离特性和耐压的半导体装置及其制造方法。其解决方法是，在由半导体衬底1、埋入氧化膜2和半导体层3构成的SOI结构的半导体衬底1与埋入氧化膜2相接的表面上形成杂质层12。

主权项

1、一种半导体装置，备有由半导体衬底、埋入氧化膜、和半导体层构成的衬底，其特征在于，具备：包围在所述半导体层的主表面上配置的第1和第2有源区并距所述埋入氧化膜为规定距离的被形成的第1隔离绝缘膜；包围在所述半导体层的主表面上配置的第3有源区，将第3有源区从第1和第2有源区完全地绝缘，并形成以使得所述埋入氧化膜直接接触的第2隔离绝缘膜；在所述第1有源区中形成的第1有源元件；在所述第2有源区中形成的第2有源元件；在与所述埋入氧化膜的界面附近的所述半导体衬底的一主表面上被形成的杂质层；以及通过所述第3有源区和所述埋入氧化膜的伸展并与所述杂质层导电性地连接的布线。