| 主权项 |
1.一种具有铅直MOS晶体管的DRAM胞元排列，-系包含一内存胞元的排列矩阵，其中每个内存胞元各具有一MOS晶体管以及一与该MOS晶体管相连结的电容器(18，19，20)，其中该MOS晶体管各具有以层状而由上至下相互堆栈的一上部源极/汲极区域(4)、一信道区域(6)以及一下部源极/汲极区域(15)，-其中该内存胞元矩阵之MOS晶体管的信道区域(6)系被排列于列(row)以及行(column)之中，且沿着其中一行(column)所排列的信道区域(6)系为在一基板(1)中水平运作之肋条(7)的一部份，-其中每个肋条(7)的两侧系分别被一闸极介电层(9)所围绕并且是位在该上部源极/汲极(4)之上，-其中沿着该内存矩阵之某一列(row)所排列的MOS晶体管之闸电极(11，12)系为一类似条状之字符线(10)的一部份，该字符线(10)系与位在该肋条(7)之上的该列(row)相平行而运作，并自上方开始充填沿着行(column)方向的肋条(7)之间而产生的沟渠(5)，直到其超出该字符线(10)之宽度，-以致于在内存胞元矩阵的每个交叉点都有一具有联合字符线(10)的闸电极(11，12)的铅直双闸极MOS晶体管，其中该联合字符线(10)系位于联合肋条(7)的两侧上之沟渠(5)之中。 |
