发明名称 低温磁轭型隧道阀传感器
摘要 本发明公开了一种低温磁轭型隧道阀传感器,其中一读取头包括:导电的铁磁第一和第二磁轭层和从气浮面(ABS)凹进并位于第一与第二磁轭层之间的隧道阀传感器。第一与第二磁轭层延伸至ABS,用于将磁通传导至传感器,其还延伸至磁头内超过传感器。底铜结构与隧道阀传感器底面界面接触,而顶铜结构与隧道阀传感器顶面界面接触。在本发明第一实施例中,第一和第二铜结构将来自传感器的热分别传至第一和第二磁轭层,在本发明第二实施例中,底铜结构将热传至衬底而顶铜结构将热传至第二磁轭层。另外,在第一实施例中,第一和第二磁轭层对隧穿电流起引线作用,而在第二实施例中,底铜结构和第二磁轭层对隧穿电流起引线作用。
申请公布号 CN1513169A 申请公布日期 2004.07.14
申请号 CN02811188.5 申请日期 2002.05.30
申请人 国际商业机器公司 发明人 哈德亚尔·S·吉尔
分类号 G11B5/39;G11B5/012 主分类号 G11B5/39
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种具有气浮面(ABS)的磁头组件,包括:读取头,包括;隧道阀传感器,从ABS凹进,并具有顶面和底面;铁磁第一和第二磁轭层;第一铜结构,与隧道阀传感器的底面界面接触;以及第二铜结构,与隧道阀传感器的顶面和第二磁轭层界面接触。
地址 美国纽约州