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发明名称 Vertical double-channel silicon-on-insulator transistor and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 GB0413239(D0) 申请公布日期 2004.07.14
申请号 GB20040013239 申请日期 2004.06.14
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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