发明名称 |
微型高效宽光谱换能器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种微型高效宽光谱换能器,属于能量转换技术领域。该换能器包括半导体衬底、扩散层、高渗杂层,以及分别从衬底和高浓度离子注入层引出的电极,半导体衬底和扩散层形成单PN结,此外夹在衬底与高渗杂层之间、形成双PN结的离子注入层。高渗杂层覆盖离子注入层,使离子注入层厚度在1nm-100nm之间,两个以上的双PN结区域从端头半导体衬底与扩散层形成的单PN结区域延伸,并与单PN结的延伸区域相间,构成栅栏状结构。本发明可以将光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均高效率地转换成电能,加之其吸收光谱宽、噪音低、开关速度快的特性,十分适合于在通信以及光电子对抗等诸多领域推广应用。 |
申请公布号 |
CN1157800C |
申请公布日期 |
2004.07.14 |
申请号 |
CN01134053.3 |
申请日期 |
2001.10.17 |
申请人 |
陈钟谋 |
发明人 |
陈钟谋 |
分类号 |
H01L31/06;H01L31/18;H01L35/00 |
主分类号 |
H01L31/06 |
代理机构 |
南京苏科专利代理有限责任公司 |
代理人 |
何朝旭 |
主权项 |
1.一种微型高效宽光谱换能器,包括半导体衬底、扩散层,以及从衬底引出的电极,半导体衬底和扩散层形成单PN结,其特征在于:还含有高掺杂层和离子注入层,所述离子注入层夹在衬底与高掺杂层之间,形成双PN结,所述高掺杂层引出电极,并覆盖离子注入层,使离子注入层厚度在1nm-100nm之间,两个以上的双PN结区域位于底部半导体衬底与扩散层形成的单PN结区域之间,并与所述单PN结区域相间,构成栅栏状结构。 |
地址 |
210016江苏省南京市中山东路524号55所 |