SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING COMPENSATED RESISTANCE IN THE LDD REGION, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME,申请号EP20020774543-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING COMPENSATED RESISTANCE IN THE LDD REGION, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
摘要
申请公布号	EP1436845(A2)	申请公布日期	2004.07.14
申请号	EP20020774543	申请日期	2002.08.30
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	TADDIKEN, HANS
分类号	H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
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