半导体衬底及太阳电池的制造方法

摘要

半导体衬底制造方法，包括在适当控制以便消除缺陷的温度在衬底上液相生长第一半导体层的工序，和在更高温度在第一半导体层上液相生长第二半导体层的工序。太阳电池的制造方法包括对液相生长法制造的半导体衬底的第一和第二层的表面进行阳极氧化的工序。液相生长设备包括熔料存储装置，存储熔料温度改变装置，使含氧衬底与熔料接触的装置，熔料温度可抑制衬底表面上生长的半导体层中所含的堆垛层错。

主权项

1.一种半导体衬底的制造方法，包括以下工序：将所述衬底浸入不饱和硅熔料中除去衬底表面的污染；在低于750℃的过饱和硅熔料中通过液相生长在硅衬底上生长至少0.01μm厚的第一硅层；和在高于750℃的过饱和硅熔料中通过液相生长在第一硅层上生长第二硅层。