用于半导体散热器的复合材料及其制造方法

摘要

在实际的电子部件(包括半导体器件)等中获得寻求热膨胀率与热传导率平衡的适当特性。其方法为：使高压容器处于初始状态(S1)，在第一室处于下方位置后，把铜或铜合金放入第一室，把SiC设置在第二室(S2)。随后，在密封高压容器后，通过排气管进行高压容器内的抽真空(S3)。接着，使热丝通电，加热熔解第一室的铜或铜合金(S4)。在第一室内的熔融铜达到预定温度阶段，180度地旋转高压容器(S5)，SiC处于在熔融铜中的被浸渍状态(S6)。然后，通过气体导入管向高压容器内导入浸渍气体，通过使该高压容器加压，把熔融铜浸渍在SiC中。随后，在使高压容器旋转180度后(S7)，在通过气体导出管对高压容器内的浸渍气体排气的同时，通过气体导入管把冷却气体向高压容器内导入(S8)。

主权项

1.一种用于半导体散热器的复合材料，其由多孔体和浸渍金属一起组成网的复合体构成，其特征在于，预先烧制由从SiC、AlN、Si3N4、B4C、BeO中选择的一种以上的化合物构成的多孔体，进行网状化，然后在得到的多孔烧结体上浸渍铜或铜合金，由此构成该复合材料，它具有的热膨胀率在200℃时比按所述铜或铜合金与所述多孔烧结体的比例化学计量得到的热膨胀率低，从室温至200℃的平均热膨胀率为4.0×10-6/℃～9.0×10-6/℃，在所述多孔烧结体与所述金属的界面上形成的与所述金属的反应层的厚度在5μm以下，所述铜或铜合金的比例为20vol％～70vol％，所述多孔烧结体的平均放气孔直径的值为0.5～50μm。