发明名称 | 具有自组装聚合物薄膜的内存装置及其制造方法 | ||
摘要 | 具有多位内存单元的内存装置及制造方法使用自组装以在触片上提供聚合物内存单元到晶体管数组。使用自组装使聚合物内存单元位于晶体管数组的触片的精确位置。聚合物内存单元根据特定域值上的电流改变电阻值。内存单元随时间保持电阻系数值。 | ||
申请公布号 | CN1513184A | 申请公布日期 | 2004.07.14 |
申请号 | CN02811337.3 | 申请日期 | 2002.05.07 |
申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·H·克里格;N·F·尤达诺夫 |
分类号 | G11C13/00;G11C11/14;G11C11/22 | 主分类号 | G11C13/00 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
主权项 | 1.一种内存装置,其包括:一可寻址的晶体管数组;一覆盖该晶体管数组的介电层;若干个触片,该触片穿过该介电层而与该晶体管数组连接,且至少部分触片暴露于该介电层外;形成在该部分外露触片上的多个内存元件,且该内存单元仅形成在触片上,而非在该介电层上;以及一与每一内存元件接触的公共电极。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |