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发明名称 Leistungs-MOSFET mit verbesserter Durchbruchspannung
摘要
申请公布号 DE10296911(T5) 申请公布日期 2004.07.08
申请号 DE20021096911T 申请日期 2002.06.05
申请人 NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE, SINGAPUR/SINGAPORE 发明人 LIANG, YUNG CHII;SAMUDRA, GANESH SHANKAR;GAN, KIAN PAAU;YANG, XIN
分类号 H01L21/316;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
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