发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsanordnung, die eine Metallnitridschicht enthält, und integrierte Schaltungsanordnung |
摘要 |
Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem eine Titannitridschicht nass-chemisch entfernt wird (106). Nach dem Entfernen des Titannitrids werden weitere Metallisierungslagen erzeugt (114). Es entsteht eine integrierte Schaltungsanordnung mit Verbindungen, die einen geringen elektrischen Widerstand haben. Die Schaltungsanordnung ist insbesondere zum Schalten großer Leistungen geeignet.
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申请公布号 |
DE10257681(A1) |
申请公布日期 |
2004.07.08 |
申请号 |
DE20021057681 |
申请日期 |
2002.12.10 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
OBERMEIER, HERBERT;GOELLNER, REINHARD |
分类号 |
H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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