| 发明名称 |
DRAM-Anordnung mit Speicherzellen mit bipolarem Trenntransistor, dessen Emitter auf konstantem Plattenpotential liegt |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10147137(B4) |
申请公布日期 |
2004.07.08 |
| 申请号 |
DE20011047137 |
申请日期 |
2001.09.25 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HOFFMANN, KURT;KOWARIK, OSKAR |
| 分类号 |
G11C11/404;H01L27/102;(IPC1-7):G11C11/404;H01L27/108 |
主分类号 |
G11C11/404 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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