发明名称 |
Flashspeicher mit Wortleitungs-Reparaturmöglichkeit |
摘要 |
Es wird ein Flashspeicher offenbart, bei dem die Wortleitung repariert werden kann. Ausgefallene Wortleitungen werden unter Verwendung von Redundanzzellen zum Reparieren von Bitleitungen durch Kombinieren von X/Y-Adressen repariert, wobei sowohl eine Reparatur in der Bitleitungsrichtung als auch eine solche in der Wortleitungsrichtung möglich ist. Daher ist es möglich, eine Beeinträchtigung der Ausbeute zu vermeiden und die Zuverlässigkeit des Bauteils zu verbessern.
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申请公布号 |
DE10343563(A1) |
申请公布日期 |
2004.07.08 |
申请号 |
DE20031043563 |
申请日期 |
2003.09.19 |
申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON |
发明人 |
LEE, JU YEAB |
分类号 |
G11C16/06;G11C7/00;G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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