| 发明名称 | 半导体记忆装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 为了以特别少的处理步骤来把一电容器装置(40)整合入半导体记忆装置区之中，直接把电容器装置(40)的一下部电极装置(43)与一上部电极装置(44)配置于具有内存组件(20)的材料区(30)的下方或是上方的方式便被提出，而此方式所导致的结果便是至少有一部份具有内存组件(20)的该材料区(30)将至少作为位在电极装置(43，44)之间的各介电层(45)的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1511345A | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN02810664.4 | 申请日期 | 2002.05.21 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | J·纽特泽尔;T·施洛斯塞;S·施瓦尔滋;S·沃姆 |
| 分类号 | H01L21/8246;H01L27/22 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体记忆装置的方法，尤指制造MRAM内存或是类似者而言，其包含：-其中，复数个内存组件(20)系分别以在空间上相互横向分离的形式在一实质上横向延伸的材料区(30)中形成及/或作为该材料区的一部份，而且-其中，至少会配备有一电容器装置(40)，并且在各种个案中皆伴随着至少一第一或是下部电极装置(43)、一第二或是上部电极装置(44)以及一实质形成于该等电极装置之间的介电层(45)，特征系在于-该第一或是下部电极装置(43)及/或该第二或是上部电极(44)乃实质地直接在具有该等内存组件(20)的该材料区(30)的下方或是上方形成，以及-结果便是，至少在操作过程中，至少有一部份具有该等内存组件(20)的该材料区(30)系被供作为各介电层(45)的部份。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||