| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，在硅基板(10)上，介有栅极绝缘膜(11)地形成栅极电极(12)。栅极绝缘膜(11)具有由含硅的铪氧化物构成的高介电常数膜(11a)，以及形成在高介电常数膜(11a)的下侧的、由含铪的硅氮化氧化膜所构成的下部屏障膜(11b)。 | ||
| 申请公布号 | CN1511349A | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN02802183.5 | 申请日期 | 2002.06.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 原田佳尚 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/316 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：具有形成在基板上的栅极绝缘膜、和形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，所述栅极绝缘膜具有包含有一种金属、氧、及硅的高介电常数膜、和形成在该高介电常数膜的下侧的，包含所述一种金属、氧、硅、及氮的下部屏障膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||