用于电子光学器件的半导体电路及其制造方法

摘要

在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×10¹⁶-5×10¹⁹cm^-3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一个具有形成在衬底上的第一种多个薄膜晶体管的有源矩阵器件；以及一个具有用于驱动所述第一种多个薄膜晶体管的形成在所述衬底上的第二种多个薄膜晶体管的外围驱动器件，每一个所述第二种多个薄膜晶体管包括一个有源区，其中每一个所述第一种多个薄膜晶体管包括一个沟道形成区，该沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜构成的；和其中所述单畴结构中没有晶粒边界，但具有点缺陷，且包括氢和卤族元素以中和所述点缺陷。