| 发明名称 | 硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。在富含钛的覆盖层中钛/其他元素(如果有的话)的原子百分比比率大于1。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1510726A | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN200310120909.2 | 申请日期 | 2003.10.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 具景谟;具滋钦;朴惠贞 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成硅化钴膜的方法，所述方法包括：在具有绝缘区和含硅导电区的半导体衬底的表面上形成一含钴膜；在所述含钴膜上形成富含钛的覆盖膜以获得一合成结构，所述富含钛覆盖膜具有大于1的钛/其他元素的原子百分比比率；以及退火所述合成结构，使得所述含钴膜中的钴和所述含硅导电区中的硅彼此反应，以形成硅化钴膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||