半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片、以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。

主权项

1.一种半导体器件，它包括：一种有绝缘表面的基片；一种半导体膜，它包括形成于所述绝缘表面上的结晶硅，其中，所述半导体膜含有选自Ni、Pt、Fe、Co和Pd的促进硅结晶的金属，其浓度不大于1原子％。