发明名称 微晶芯片像素位移方法
摘要 本发明涉及一种用于提高图像像素密度的微晶芯片像素位移方法,包括倾斜设置在曝光机构中微晶芯片与物镜之间的透光玻璃板,其特点是,设定与微晶芯片的晶格相适配的透光玻璃板的倾斜度,将透光玻璃板在0°,旋转至90°、180°、270°的位置分别曝光的四个步骤,使光线进入倾斜放置的透光玻璃板时,光线产生偏折,进入透光玻璃板的光线与射出透光玻璃板的光线相互平行,射出光线分别到达A点、B点、C点、D点,产生位移后的像素A、B、C、D,使相纸上产生位移后的成像潜影A′、B′、C′、D′该方法操作简便、实用,可达到提高像素密度数倍的图像,性能价格比优越。
申请公布号 CN1510524A 申请公布日期 2004.07.07
申请号 CN02157745.5 申请日期 2002.12.25
申请人 上海力保科技有限公司 发明人 朱宗曦;杨爱萍;朱毅;糜卫东;陈云祥;朱汝平;朱宗昇;毛晓雯
分类号 G03F7/22;H01L21/027 主分类号 G03F7/22
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 左一平
主权项 1、一种微晶芯片像素位移方法,包括倾斜设置在曝光机构中微晶芯片与物镜之间的透光玻璃板,其特征在于:设定与微晶芯片的晶格相适配的透光玻璃板的倾斜度,进行以下四个步骤:步骤1,保持微晶芯片与物镜静止,在透光玻璃板起始点O位置曝光,光线进入倾斜放置的透光玻璃板时,光线产生偏折,进入透光玻璃板的光线与射出透光玻璃板的光线相互平行,射出光线到达A点,产生位移后的像素A,使相纸上产生位移后的成像潜影A′;步骤2,将透光玻璃板旋转180°,在相对于起始点O位置的180°位置曝光,光线进入倾斜放置的透光玻璃板时,光线产生偏折,进入透光玻璃板的光线与射出透光玻璃板的光线相互平行,射出光线到达B点,产生位移后的像素B,使相纸上产生位移后的成像潜影B′;步骤3,将透光玻璃板旋转90°,在相对于起始点O位置的90°位置曝光,光线进入倾斜放置的透光玻璃板时,光线产生偏折,进入透光玻璃板的光线与射出透光玻璃板的光线相互平行,射出光线到达C点,产生位移后的像素C,使相纸上产生位移后的成像潜影C′;步骤4,将透光玻璃板旋转270°,在相对于起始点O位置的270°位置曝光,光线进入倾斜放置的透光玻璃板时,光线产生偏折,进入透光玻璃板的光线与射出透光玻璃板的光线相互平行,射出光线到达D点,产生位移后的像素D,使相纸上产生位移后的成像潜影D′。
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